什么是光刻胶

2024-05-15

1. 什么是光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一,特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展,更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的,以后才用于电子工业。[1]光刻胶是一种有机化合物,它被紫外光曝光后,在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面,而后被干燥成胶膜。

目的
硅片制造中,光刻胶的目的主要有两个:光刻胶原理,小孔成像!技术源头,古老的相机!

(1)将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中;

(2)在后续工艺中,保护下面的材料(例如刻蚀或离子注入阻挡层)。

分类
光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构,光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型
采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。
光分解型
采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。

光交联型
采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶
为了避免光刻胶线条的倒塌,线宽越小的光刻工艺,就要求光刻胶的厚度越薄。

在20nm技术节点,光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此,研发了含Si的光刻胶,这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料(常被称作Underlayer),其对光是不敏感的。曝光显影后,利用氧等离子体刻蚀,把光刻胶上的图形转移到Underlayer上,在氧等离子体刻蚀条件下,含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer,具有较高的刻蚀选择性。

含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的,例如硅氧烷,硅烷,含Si的丙烯酸树脂等。

什么是光刻胶

2. 什么是光刻胶 光刻胶所示什么意思

1、光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。
 
 2、光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。

3. 光刻机和光刻胶有区别吗?

   有。光刻胶是光刻机研发的重要材料,是微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,想要在硅片表面留下痕迹就需要在其表面涂上光刻胶。光刻胶抗蚀性、表面张力上都有极高的要求,光刻胶布不止应用在芯片还有高端面板、发光二极管等。光刻机需要在光刻胶的基础上才开始画图作业。

光刻机和光刻胶有区别吗?

4. 光刻机和光刻胶有区别吗?

   有。光刻胶是光刻机研发的重要材料,是微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,想要在硅片表面留下痕迹就需要在其表面涂上光刻胶。光刻胶抗蚀性、表面张力上都有极高的要求,光刻胶布不止应用在芯片还有高端面板、发光二极管等。光刻机需要在光刻胶的基础上才开始画图作业。

5. 光刻胶和光刻机有什么区别

   区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上,然后在进行下一步,而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,并要避免在硅片表面留下痕迹,需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此,光刻胶是光刻机研发的重要材料,而且它不止应用于芯片,在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

光刻胶和光刻机有什么区别

6. 光刻胶和光刻机有什么区别

   区别在于光刻是通过光刻胶把电路印制在基板上,然后在进行下一步,而光刻机就是要行进光刻这一步骤的机器。主要原理是光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,并要避免在硅片表面留下痕迹,需要在硅片表面涂上一层特殊的物质光刻胶。因此,光刻胶是光刻机研发的重要材料,而且它不止应用于芯片,在高端面板、模拟半导体、发光二极管、光电子器件以及光子器件上也广泛应用。

7. 光刻机和光刻胶有区别吗?

   有。光刻胶是光刻机研发的重要材料,是微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,想要在硅片表面留下痕迹就需要在其表面涂上光刻胶。光刻胶抗蚀性、表面张力上都有极高的要求,光刻胶布不止应用在芯片还有高端面板、发光二极管等。光刻机需要在光刻胶的基础上才开始画图作业。

光刻机和光刻胶有区别吗?

8. 光刻机和光刻胶有区别吗?

   有。光刻胶是光刻机研发的重要材料,是微电子技术中微细图形加工的关键材料,光刻机利用特殊光线将集成电路映射到硅片表面,想要在硅片表面留下痕迹就需要在其表面涂上光刻胶。光刻胶抗蚀性、表面张力上都有极高的要求,光刻胶布不止应用在芯片还有高端面板、发光二极管等。光刻机需要在光刻胶的基础上才开始画图作业。