第三代半导体迎来爆发期

1. 第三代半导体迎来爆发期

  挖掘于板块个股机会于潜龙勿用时，历经见龙在田的试盘和或跃在渊的启动，直到飞龙在天的明牌启动，以及亢龙有悔之前的离场，这是我们的追求，也是一直趋于接近的。很难，但这并不是放弃的理由！ 
        
    投资名言：顺应趋势，花全部的时间研究市场的正确趋势，如果保持一致，利润就会滚滚而来!--[美]江恩 
   什么是半导体?
    半导体( semiconductor)，指常温下 导电性 能介于 导体 (conductor)与 绝缘体 (insulator)之间的 材料 。半导体在 收音机 、 电视机 以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。   半导体   是指一种 导电性 可受控制，范围可从 绝缘体 至 导体 之间的材料。无论从 科技 或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如 计算机 、 移动电话 或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有 硅 、 锗 、 砷化镓 等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。 
       昨天板块指数放量大涨，逼近前期 历史 高位，板块全线爆发，今日虽然板块会有个分化，但随着行业的景气度提升，接下来机构配置的仓位势必会提高，所以接下来需要特别重视中线级别的布局机会。 
      第三代半导体概念股：
    300708 聚灿光电： 公司目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术，目前已经2个涨停，人气龙头位置显现。  
    300046台基股份： 公司积极布局 IGBT、固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域 昨日下午引爆板块的中军人气股。  
   688396 华润微： 第三代半导体方面，公司根据研发进程有序推进碳化硅（SiC）中试生产线建设，目前已按计划完成第一阶段建设目标，利用此建立的基础条件完成了1200V、650VSiCJBS产品开发和考核 领涨科创板人气股 
   300373扬杰 科技 ： 公司主要从事碳化硅芯片器件及封装环节，不涉及材料领域。目前可批量供应650V、1200V 碳化硅SBD、JBS器件。放量上攻，挑战 历史 高点 
   300456赛微电子： 公司全资子公司微芯 科技 投资设立控股子公司海创微芯，主要从事氮化镓（GaN）器件的设计、开发，目的在于积极布局并把握第三代半导体产业的发展机遇，聚焦相关器件在5G通信、物联网、航空电子等领域的应用，与公司控股子公司聚能创芯优势互补并全面协作，提高综合竞争实力。概念万金油，接下来最强势的概念都有涉及。 
   300131 英唐智控： 英唐微技术生产线改造完成后还将兼备以 SIC-SBD 为主的第三代半导体功率器件的生产，并在持续升级设备和工艺后，逐渐拓展至其他的第三代半导体产品。   一阳盘出底部震荡区间。  
   688200华峰测控： 在宽禁带半导体测试方面，公司量产测试技术取得了重大进展，实现了晶圆级多工位并行测试，解决了多个GaN晶圆级测试的业界难题，并已成功量产。   向 历史 新高进军  
   300376 易事特： 易事特作为国家第三代半导体产业技术基地（南方基地）第二大股东及推动产业创新技术发展的核心成员单位，现主要负责碳化硅、氮化镓功率器件的应用技术研发工作。公司已经研发出基于碳化硅、氮化镓器件的高效DC/AC, 双向DC/DC新产品。   一阳盘出底部震荡  
   300102乾照光电： 公司与深圳第三代半导体研究院的合作是全方位多层次的深度合作，在该平台上研发的技术包括但不仅限于氮化镓和Micro-LED。   之前人气领涨股，连续异动2日，盘出震荡格局  
   600703三安光电：公司拟在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额 160 亿元。 涨停强势收复近期的调整，行业地位显著 
   002993奥海 科技 ： 公司已自主研发出快充氮化镓产品。氮化镓充电器属于第三代半导体领域重要技术产品，公司深耕充电器行业十几载，具备平台优势。   超跌后止跌反弹，2连板  
   002617 露笑 科技 ：公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。 主板最强的趋势票，创出 历史 新高 
   605111新洁能： 公司在第三代半导体方面，已获得 6 项专利授权，一项国际发明专利受理中。SiC 方面： 预计今年年底之前推出 SiC 二极管系列产品。新能源 汽车 是 SiC功率器件未来最大的应用领域之一， 也是公司未来市场重点布局的方向。   连续2日放量，冲击前期高点。  
   603290斯达半导： 公司拟在嘉兴斯达半导体股份有限公司现有厂区内，投资建设全碳化硅功率模组产业化项目，本项目计划总投资 22,947 万元， 投资建设年产 8 万颗车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心。   高价股，趋势开始形成，向 历史 高点蓄势！  
   002371北方华创：公司可以提供第三代半导体相关设备，其中碳化硅方面，可以提供长晶炉、外延炉、刻蚀、高温退火、氧化、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。 行业地位显著，创出 历史 新高。 
   600460士兰微： 公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、 GaN电路研发、封装、 系统应用的全技术链。   行业低位显著，创出 历史 新高。  
   002023海特高新： 海威华芯6吋第二代第三代半导体集成电路芯片生产线项目砷化镓、氮化镓半导体芯片生产线竣工环境保护自主验收工作已完成。   低位超跌首次异动，接下来有修复空间预期。  
   300623捷捷微电： 公司与中科院电子研究所、西安电子科大合作研发的是以Sic、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点，可大幅降低电能变换中的能量损失，大幅减小和减轻电力电子变换装置。   趋势形成，有冲击新高预期。  
   688138 清溢光电： 公司深圳工厂在现有产品结构的基础上积极布局半导体芯片用掩膜版产品，聚焦第三代半导体芯片用掩膜版。   超跌后企稳异动，接下来会有修复预期   。 
   600509天富能源： 公司已持有北京天科合达半导体股份有限公司 10.657%的股份，成为该公司第二大股东；该公司是从事第三代半导体材料-碳化硅晶片及相关产品研发、生产和销售的高新技术企业。   趋势形成，短期有继续调整前期新高预期。  
   688556 高测股份： 公司已针对第三代半导体研发了相应的切割设备和切割耗材，正在积极推广市场.   盘出底部，接下来有修复预期。  
   600745 闻泰 科技 ： 公司将加大在第三代半导体领域投资，大力发展氮化镓和碳化硅技术。目前安世氮化镓功率器件已经通过车规级认证，开始向客户供货，碳化硅技术研发也进展顺利。   行业地位显著，盘出底部，有修复预期。  
   300484 蓝海华腾： 公司子公司新余华腾投资出资2,500万元参与比亚迪半导体的股权投资，有利于实现公司核心原材料如IGBT模块及晶圆、SiC模块及晶圆等关键技术领域的战略延伸，以及公司电动 汽车 电机控制器及相关产品的技术推动和产业布局。   盘出底部，有修复预期。  
   600360 华微电子： 公司积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术，逐步具备向客户提供整体解决方案的能力。   底部异动2日，盘出底部，有修复预期。  
   300671富满电子： 在第三代半导体GaN（氮化镓）快充领域，公司目前有可搭配GaN的中高功率（ 65W）主控芯片、PD协议芯片等产品。公司的相关芯片NF7307，具备更高集成度（集成启动电阻&X电容放电），更出色的性能（优良的Qr特性，更低待机功耗）及更高可靠性（全面的保护机制），已经上市。   最先启动的个股，底部起来已经三倍，并继续刷新新高。  
   300323 华灿光电： 在保持公司在LED领域的领先地位和竞争力的同时，公司持续加大产品研发投入和技术创新，积极布局第三代半导体材料与器件领域，发力GaN基电力电子器件领域 。   连续异动2日，盘出底部，有修复预期。  
   002079苏州固锝：公司目前已经有量产第三代半导体的产品。 震荡走高，有冲击前期高点预期。 
   603595 东尼电子： 新建年产12万片碳化硅半导体材料项目是本公司的项目。：新建年产12万片碳化硅半导体材料项目是本公司的项目。   震荡盘出底部，有修复预期。  
   002169智光电气： 公司认购的广州誉芯众诚股权投资合伙企业（有限合伙）份额，间接投资广州粤芯半导体技术有限公司。粤芯半导体有项目面向第三代半导体碳化硅芯片制造技术，开展“卡脖子”核心装备研制，重点解决高硬度材料的高平整度、低粗糙度高效加工技术等难题。   趋势形成，有望打开空间  
   002449 国星光电： 公司正布局第三代半导体器件与模组等新技术的开发与研究并已申请多项相关技术专利。   盘出底部，有修复预期。  
   300123 亚光 科技 ： 都亚光子公司华光瑞芯主营产品为GaN/GaAs功率放大器芯片、GaN高功率功放管芯、低噪声放大器芯片、 幅相控制多功能芯片（Core-Chip）、数控移相器、数控衰减器、 混频器等射频微波芯片。   盘出底部，有修复预期。  
   002171 楚江新材： 公司子顶立 科技 积极参与相关的原材料制备技术研发，公司在碳化硅单晶方面主要从事SiC单晶中的高纯C粉的研制，目前已能实现小批量生产，且关键技术指标满足制备第三代半导体——碳化硅单晶的要求，掌握了将5N及以下的C粉提纯到6N及以上，各项关键指标满足高性能碳化硅单晶原料生产的需要，其设备与工艺技术处于国内领先水平。   盘出底部，有修复预期。  
   300870 欧陆通：氮化镓为第三代半导体主要材料之一，目前公司使用的氮化镓技术属于第三代半导体应用技术，主要应用于公司电源适配器产品中。 盘出底部，有修复预期 
   300316晶盛机电： 公司开发的碳化硅外延设备，有助于拓展在第三代半导体设备领域的市场布局。   行业地位显著，趋势形成， 有新高预期。  
   第三代半导体的风口已经形成，待震荡消化后，会走出独立的走势，行业地位显著的，会继续打开市场成长性，而超跌的个股则会在行业大蛋糕下迎来估值修复。
   风已起，做好布局，持股待涨。

2. 揭秘第三代半导体，三大领域加速爆发！百亿市场火爆

随着绿色低碳战略的不断推进,提升能源利用效率和能源转换效率已经成为各行各业的共识,如何利用现代化新技术建成可循环的高效、高可靠性的能源网络,无疑是当前各国重点关注的问题。
  
 值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元;
  
  全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
  
 本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
  
 20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
  
 然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
  
 在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
                                          
 笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
                                          
  安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
  
  英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。 
                                          
  第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙;第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙;二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
  
 和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
  
 随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
  
  与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 : 
  
  1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗;
  
  2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化;
  
  3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
  
  氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
  
 半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
  
  第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用;外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能;设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大;制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路;封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
                                          
 前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
  
  从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
  
 这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
  
 此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
  
  对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
                                          
 但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
  
 在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。 
  
 比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
  
 如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
                                          
 吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。 
  
  观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。 
  
 但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
  
 业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
  
  “目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
  
  以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
  
 作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
  
  虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
  
 从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
  
 泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
  
 吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。 
  
 那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率;其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化;第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本;第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系;最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
  
 第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
  
 其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
                                          
 得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
  
  光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等;
  
  电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等;
  
  微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
                                          
 现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
  
 早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域;在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
                                          
 具体来看当前主要应用领域的发展情况:
  
  1.新能源汽车 
  
 新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
  
  2.光伏 
  
 光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
  
  3.轨道交通 
  
 未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
  
  4.智能电网 
  
 目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
  
 第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
  
 时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
  
 从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
  
 安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
  
 具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
  
 另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
  
 泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 ;可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验;产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
  
 OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
  
 虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
  
 就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
  
 此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
  
 OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
  
  上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求,  我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。 
  
 当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
  
 在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议  「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」  。
  
 本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。

3. 国内生产sic半导体的公司

[开心]您好，亲，很高兴能回答您的问题，国内生产sic半导体的公司，帮您查询到，国内生产sic半导体的公司主要有澳门凯旋集团、海能达半导体有限公司、威盛电子、武汉科技大学以及中国科学院新材料特工程研究中心等。希望我的回答能帮助到您。祝您身体健康,心情愉快~【摘要】
国内生产sic半导体的公司【提问】
[开心]您好，亲，很高兴能回答您的问题，国内生产sic半导体的公司，帮您查询到，国内生产sic半导体的公司主要有澳门凯旋集团、海能达半导体有限公司、威盛电子、武汉科技大学以及中国科学院新材料特工程研究中心等。希望我的回答能帮助到您。祝您身体健康,心情愉快~【回答】
亲，SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适。【回答】

4. 第三代半导体进入爆发增长期？

 2018年下半年，随着英特尔酷睿X处理器和英特尔至强W-3175X处理器陆续投入市场，“英特尔处理器缺货”情况得到缓解。随着产能的提升，市场需求得以满足，2019年第一季度服务器和PC出货量升高，同步带动了MOSFET等功率半导体的市场需求。在市场机遇打开的背景下，中国功率半导体厂商是否可以抓住机遇？
    MOSFET需求反弹 
   大中、杰力、尼克森等厂商运营惨谈的局面或将被打破。2019年，英特尔处理器出货量提升，带动MOSFET市场需求，大中、杰力、尼克森等厂商提升投片量。去年下半年，高性能细分市场内，英特尔至强和英特尔酷睿处理器出现供不应求，抑制了笔记本电脑与服务器的出货量，进而导致MOSFET供应商大中、杰力、尼克森等厂商显卡库存过多，业绩并不理想。随后，英特尔首席财务官兼临时首席执行官Bob Swan在公开信中表示，2018年英特尔资本支出创较年初计划增加了约10亿美元，主要用于14nm生产基地，提高出货量，应对市场不断增长的需求。2018年11月，英特尔酷睿X系列处理器正式上市。同年12月，英特尔至强W-3175X处理器出货，缺货情况得以缓解，带动2019年第一季度服务器和笔记本电脑出货量回升。
   专家指出，服务器和笔记本电脑出货量的提升将同步拉动MOSFET投片，供应商第一季度将维持较高的MOSFET投片量。一时间，MOSFET等功率器件再次回到热点话题。2018年，包括MOSFET在内的功率器件涨价严重，电容甚至涨幅十几倍，供不应求的产能促使很多中小型企业难以取得货源。“涨价”过后，整个功率器件市场重新洗牌，很多以MOSFET为元器件的小厂商逐一倒闭。
      产业化仍是难题 
   目前全球功率器件发展已经达到一定规模。美国、德国、日本、欧洲几家大公司的器件设计技术、芯片制造工艺、器件封装驱动技术陆续更新升级。与其相比，中国功率器件一直存在较大差距。但是随着宽禁带半导体的到来，全球碳化硅、氮化镓等技术和产业都尚未成熟，新兴市场在一定程度上给每个厂商同样的机遇，这或许是中国功率器件产业发展的机会。
     根据Yolo公司的统计数据，预计到2020年，4英寸碳化硅晶圆的市场需求保持在10万片左右，单价将降低25%；6英寸碳化硅晶圆的市场需求将超过8万片。预计2020~2025年，4英寸碳化硅晶圆的单价每年下降10%左右，市场规模逐步从10万片市场减少到8万片，6英寸晶圆将从8万片增长到20万片；2025~2030年，4英寸晶圆逐渐退出市场，6英寸晶圆将增长至40万片。
        重视标准和可靠性研究 
     首先是可靠性研究不深入的弊端。宽禁带功率器件作为新兴技术和产业，存在相当程度的沿用传统标准、可靠性研究不深入的弊端，严重制约了市场推广和产业化应用。中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟建议组织力量，开展符合宽禁带功率器件的标准和可靠性的研究，加快标准的制定和推广。此外，在开展国际视野下进行顶层设计和战略规划也是重要的一环。
   相关人士表示，我国宽禁带功率器件产业的发展离不开国际上该领域的发展，其发展规律必须符合国际发展趋势，建议站在国际高 科技 产业的高度，对我国宽禁带半导体器件产业的发展进行科学的规划和合理的布局。
   中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟建议，依托已有宽禁带半导体产业基础，加强科学规划，完善现有产业集聚区布局和配套产业链建设，推动垂直整合和横向合作，打造具备竞争力的产业集群。制定措施和优惠政策，推动企业实施更加积极自主的开放战略，鼓励企业坚持自主创新与“走出去”相结合，充分利用国际国内两种资源、两个市场，提高国际合作水平与质量，争取为该领域的国际发展做出积极的贡献。

5. 三代半导体子资本市场表现

三代半导体子资本市场表现如下
近年，“第三代半导体”在多个领域崭露头角，以SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）为主的第三代化合物半导体已然成为产业端、投资界及各地政府的宠儿，这得益于其自身优秀的物理特性及产业端的快速拉动。

本期将围绕第三代半导体材料的优异特性、市场前景、应用领域、行业现状，一起揭开“第三代半导体”的神秘面纱，共探投资机遇。

摘要：“风潮涌动”第三代半导体投资的势与机

投资机遇

多个下游产业集中爆发，40-50%的应用市场将在中国，下游的爆发导致上游晶圆供不应求；性能及成本即将达到产业化甜蜜点，产品进入高速导入期；
不同于传统硅基IC的晶圆及芯片制造，第三代半导体材料及器件生产投资周期短，投资金额小，对高端设备依赖相对较弱，固定资产投资不大，更依赖于工艺和人，适合VC投资；
国内起步较晚，国家“十四五”政策大力支持，自主可控需求明确；国产替代空间巨大，尚未形成行业寡头。
看好的方向

6-8寸衬底、外延附加值高，占器件成本75%以上，工艺难度大，掌握核心技术的人才稀缺；
存在巨大的市场机会，国内企业处于同一起跑线，寡头格局并未形成。