新计划确定,EUV光刻机的情况令人“意外”

2024-05-14

1. 新计划确定,EUV光刻机的情况令人“意外”

芯片的发展一直遵循摩尔定律,不断向微缩方向前进 ,如今进入到10nm制程以下,7nm、5nm已经实现量产,马上就要进行3nm的量产,2nm研发也提上日程。
  
 但随着芯片制程的越来越小,技术难度也越来越大,因为不仅材料即将达到物理极限,就连所依赖的光刻机也需要更新迭代。于是,ASML有了新计划,开始着眼长远。
     
 对于芯片制造来说,不可或缺的最关键设备就是光刻机。因为光刻机的先进性决定了芯片厂商能做的制程工艺,就比如7nm以下制程的芯片,就必须用EUV光刻机。
  
 但目前EUV只有ASML一家能够生产,且从2012年出货开始,到去年为止总共才出货了140台,加上今年第一季度3台共146台,正式批量出货才从2017年开始。
  
 这其中有一半多被台积电一家买走,据说占比为55%,也就是买走了79台EUV。
     
 剩下的45%,约64台EUV,为三星、英特尔、SK海力士等共同分得。可见,其他厂商想多获得也不容易。为争取更多EUV,三星负责人两次前往ASML总部去争取。
  
 值得一提的是,EUV还限制出货给中企。中芯国际2018年订购了一台EUV, 由于美方阻挠,至今未到货。不仅如此,美又修改规则,国外厂商的大陆厂也不能获得。
  
 之前,韩企SK海力士的无锡厂就中招了。不过,这种情况可能将要发生改变了。
     
 ASML早就对EUV出货限制表示出不满,曾表示主要是《瓦森纳协议》相关国家的限制,还直接警告限制只会加速大陆技术突破,到时他们只能面临失去市场的后果。
  
 发怨言、警告都没什么用,于是ASML只能自己行动,争取自由出货。一方面,加快EUV更新迭代,研发新一代EUV。另一方面,继续扩大产能,提高EUV市占率。
  
 其实,ASML自己很明白,只有EUV自由出货,抓住大陆市场才能实现更好发展。
     
 在今年一季度财报会上,ASML披露了EUV出货计划,为了满足不断扩大的需求,今年计划出货55台EUV,并且产能还会逐步提升,到 2025年时争取出货达90台。
  
 90台EUV什么概念,台积电6年间获得才79台,年产90台将超过实际的需求。
  
 按计划,2025年时新一代High-NA EUV也开始量产出货。这样,原来的EUV就成了迭代产品,加上产能已超过需求,再不让出货就说不过去了,ASML就有机会了。
     
 有人可能会说,ASML为什么要生产那么多,让EUV供过于求,这不是给自己找麻烦吗?要知道,ASML研发EUV技术超过十年,先后投入400多亿,为的是什么?
  
 作为企业,自然要实现利润最大化,首先自然是收回成本,再者就是要用它来获得更多的收益。让EUV供过于求,正是为争取大陆这个最大的市场,为了更多利润。
  
 因为EUV限制,我们早就开始布局研发国产EUV,所以ASML是在为自己抢时间。
     
 一旦我们突破了EUV,能够做出国产EUV,还会有ASML的事吗?所以ASML才会积极推进EUV自由出货,争取在我们突破前占领市场,就像现在DUV光刻机一样。
    
 再说,还有替代EUV的技术在研发,比如NIL技术,因此留给ASML的时间不多了。
     
 对于ASML90台计划,外媒评价道,这相当于承认了,确实在争取EUV自由出货。
  
 即使如此,EUV自由出货也是3年以后的事了,到时什么情况谁也说不准。因此,我们不必对此寄予希望,还是踏实进行EUV相关技术研发,争取早日实现国产EUV!

新计划确定,EUV光刻机的情况令人“意外”

2. EUV光刻机要被抛弃?14家巨头联合宣布,这相当于承认了

随着芯片继续向着更小的特征尺寸发展,对产业界都提出了更高的要求,其中起到关键作用的就是光刻机,因为这台设备直接决定可以制造的芯片工艺。  
     
   目前来看,由ASML生产的EUV光刻机,得以让芯片制造商可以制造7纳米以下工艺的芯片,使得电子电路可以继续保持摩尔定律向前发展。  
  
   不过现在来看,EUV光刻机似乎正在被业界所抛弃,首先是就在近日,荷兰方面计划投资11亿欧元来发展光子电路,根据外媒报道,荷兰此举是为了抢占未来的半导体市场,打造下一个ASML。  
  
   无独有偶,近日外媒报道称,由德国却Q.ANT公司牵头,联合14家巨头成立了“PhoQuant”项目,目标就是研发光子芯片电路技术。  
     
   不得不说,这相当于承认,光子芯片开始逐步走向商用,并在一定程度和领域上替代电子电路,而且根据外媒报道,只要完成技术验证,就会向工业界输出,而光子芯片的制造,并不依赖ASML的EUV光刻机。  
  
   这是因为光子芯片与电子芯片有着本质上的不同,ASML的EUV光刻机,是通过减小晶体管的特征尺寸,来增加晶体管的数量,其运算依靠的是电子的迁移。  
     
   而光子芯片则不然,其运算是依靠的光波来作为数据运算的载体,所以基础逻辑就不i一样,这也是为什么光子芯片被称之为下一代半导体技术的重要原因。  
  
   不得不说,这正的是最戏剧性的一幕,因为电子芯片制造设备领域最强的ASML虽然在欧洲,但是欧洲现在却要抢占下一代技术来替代ASML。  
  
   但如果仔细分析,也就不难理解,虽然ASML是一家欧洲企业,但是其光刻机的生产制造,却并不能自己完全掌控,因为其大量的配件需要美国供应,事实上其EUV技术就是来自美国的支持。  
     
   不仅如此,尽管欧洲可以拥有最先进的EUV光刻机,但是却并没有领先的电子芯片制造技术。  
  
   相信大家也看到了,之前欧洲方面计划要重振芯片制造产业,结果只能邀请其像英特尔、台积电、三星等芯片代工厂来帮助。  
  
   但是无一例外的是,大家都提出了巨额的补贴要求,例如欧盟为了吸引英特尔在德国建厂,就给出了50亿欧元的补贴,要知道ASML为了研发EUV光刻机也才投资了60亿欧元。  
     
   这还不是全部,根据媒体报道,意大利也邀请英特尔来建厂,而给予的补贴已经不是一个确定数字,直接按照40%的比例进行补贴。  
  
   所以欧洲有ASML又如何,对重振自己的芯片产业并没有起到多大的助力,这也就可以理解,为何欧洲频频要发力光子芯片,而且这么急切。  
  
   而从更广的范围来看,欧洲不着急也不行了,因为全球都在发展光子芯片,例如我国中科鑫通公司,已经在筹建一条国际领先的光子芯片生产线。  
     
   所以短期来看,光子芯片会与电子芯片处于一个共存的状态,但是长期来看,光子芯片将会替代电子芯片,届时EUV光刻机就真的没用了。  
  
   因此外媒就表示,EUV光刻机要加紧出货了,这样ASML可以及时的回笼资金,研发自己可控的光子芯片制造设备,更早布局更早投入,才能更早的占领先机。  
  
   对此大家怎么看呢?欢迎发表您的评论。

3. 再见了,EUV光刻机?

“本文原创,禁止抄袭,违者必究”
  
 作为全球半导体设备制造巨头的ASML公司,几乎全球的光刻设备都是由它提供的。不仅是DUV光刻机占据着绝大多数的市场份额,在EUV光刻设备上更是只有它造得出来,处于垄断地位。
     
 随着芯片紧缺愈演愈烈,为了缓解芯片紧缺的问题,各个芯片大厂在扩厂生产的需求下争相向ASML订购EUV光刻机。
  
 但随着“芯片规则”的修改和全球公共卫生问题的产生,ASML的光刻设备自由出货受到限制,芯片的制造成本也在不但增加,甚至有些光刻零件供应链开始延迟出货。
  
 在此背景下,越来越多的企业开始寻求其他路径,以求绕过EUV光刻设备,制造出先进制程的芯片。
  
 英特尔就研发出新型 3D 堆叠、多芯片封装技术,该项技术被命名为Foveros Direct。它能够应用于多种芯片混合封装的场景,不仅能够将 CPU、GPU、IO 芯片以相邻或者层叠的方式紧密结合在一起,还能兼容不同厂商的芯片进行混合封装。
     
  2021 年 7 月英特尔更是推出了 RibbonFET 新型晶体管架构,通过将 NMOS芯片 和 PMOS芯片堆叠在一起,在制程不变的情况下,晶体管密度提升了 30% 至 50%。通过这项技术,芯片制程缩小到10nm以下,最多能达到5nm。
  
 日本铠侠公司联合佳能开发出新的NIL(纳米压印微影技术)工艺,它是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的技术。
  
 它的工作原理是 基于机械复制的,通过印刷技术与微电子加工工艺相互融合,使用电子束刻蚀的方式,不受光学衍射的限制。能够解决光衍射现象造成的分辨率极限问题,实现让电路线宽变得更窄,理论上来说分辨率会比EUV光刻机要高。
  
 NIL的微影制程相对来说较为单纯,耗电量能比EUV光刻机减少10%,在设备的投资成本上也节省了40%,目前已经可以实现15nm制程的量产并应用到NAND闪存制造上,预计到2025年最高能产出5nm精密度制程的芯片。
     
 适合工业化、低成本且具有高效率的优势让它一经推出就受到业内的重视,越来越多厂家对它感兴趣并进行询问。
  
 俄罗斯初期投入 6.7 亿卢布用于X射线光刻机的制造。目前MIET(俄罗斯莫斯科电子技术学院)已经承接了该项目。根据当地媒体的说法,X射线光刻机性能甚至能与EUV光刻机比肩。
  
 不同于EUV的极紫外技术,俄罗斯自研的光刻机使用的是X射线技术。从光刻设备的发展历程来看,越是高端的光刻设备,波长越短曝光分辨率就越高。
     
 EUV的极紫外波长 为13.5nm, X 射线的波长在 0.01nm 到 10nm 之间,光从波长来看, X 射线光刻机是比EUV光刻机有优势的,不需要光掩模版的直写光刻方式也使成本大为降低。
  
 但X 射线穿透性太强,只能用于直写光刻导致速度太慢,目前MIET面临的最大问题就是在工艺以及效率的提升上。
  
 俄罗斯虽然半导体产业不发达,但在X射线和等离子这方面的技术上有着深厚的基础,要提升工艺实现量产并非不可能。
  
  Chiplet 技术就是我们常听到的“小芯片”技术。目前国际上很多知名企业都在发展“小芯片”技术。
     
 如全球规模最大的芯片代工厂——台积电,就自研出新的3D芯片封装工艺,通过将两枚低制程芯片用先进的3D封装工艺封装在一起,能提升1.5倍的性能。
  
 对于3D封装技术,台积电还在不断进行试验和优化,目前最高已经能产出3nm制程的芯片。只是良品率还不高,成本消耗也更大。但对于能绕开EUV光刻机实现自主生产,就意味着能拥有自主权实现自由出货,这就是值得的。
  
 苹果公司最新推出的M1 Ultra芯片也是将两枚M1芯片并列粘合在一起组成的,经过检测,M1 Ultra芯片的性能甚至比A15还要高出65%。
     
 华为在5G芯片得不到供应之后,也明确表示会采用芯片堆叠技术,用面积换取性能。目前华为已经开发出芯片堆叠封装及终端设备并申请了专利。
  
 在本就是自研芯片的基础上,有了自己的设备,华为要生产出芯片是不难的。
  
 这些企业纷纷进入芯片相关产程自研,就是为了绕开EUV光刻设备的限制实现芯片自由。已经不能自由出货的ASML对各商家来说负面影响是很大的,不仅芯片的增产计划受到影响,可能客户的订单都不能如期交付。
  
 而且,在美方技术的限制下,ASML已经隐隐有被操控的迹象,避免EUV光刻机的限制,也是在挣脱老美在半导体领域的限制。
     
 这也表明,如果ASML无法实现自主出货,终将会被时代抛弃。
  
 对于各个企业纷纷开始自研光刻设备和芯片技术,大家有什么想法呢?欢迎在评论区留下您独到的见解。

再见了,EUV光刻机?